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高精度原邊反饋LED電源芯片SM7581PA系統(tǒng)方案設(shè)計應(yīng)用

作者:小編    發(fā)布時間:2018-06-15 17:19:00    瀏覽量:

電源管理芯片SM7581PA 是一款高精度原邊反饋的 LED 恒流驅(qū)動芯片,適用于

85Vac~265Vac 全范圍輸入電壓的隔離型 LED 恒流驅(qū)動電源。電源管理芯片SM7581PA工作于電感電流斷續(xù)導(dǎo)通模式,采用專利的檢測與恒流控制技術(shù)

,無需輔助繞組檢測,只需要很少的外圍器件,即可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的恒流性能。同時

芯片工作電流極低,無需輔助繞組供電,極大地節(jié)約了系統(tǒng)體積和成本。

SM7581PA 輸出電流不隨電感量和 LED 工作電壓的變化而變化,從而實(shí)現(xiàn)了優(yōu)異

的負(fù)載調(diào)整率。同時芯片具有多重保護(hù)功能,包括 LED 開/短路保護(hù),HVDD 欠

壓保護(hù),芯片過溫調(diào)節(jié)功能等。


SM7581PA典型應(yīng)用方案圖1.png



SM7581PA管腳圖.png




電源管理芯片SM7581PA產(chǎn)品主要的特點(diǎn)分析:


輸入電壓:85Vac~265Vac

恒流精度<±3%

電感電流斷續(xù)導(dǎo)通模式

無需輔助繞組檢測和供電

超低工作電流

輸出開路保護(hù)功能

輸出短路保護(hù)功能

HVDD 欠壓保護(hù)功能

具有過溫調(diào)節(jié)功能



SM7581PA管腳說明圖.png


電源管理芯片SM7581PA啟動與供電

系統(tǒng)上電后,線網(wǎng)電壓通過啟動電阻對 HVDD 電容充電,當(dāng) HVDD 電壓達(dá)到芯片啟動電壓時,芯片內(nèi)部控制電路開始工作。SM7581PA 內(nèi)部設(shè)置 17V 穩(wěn)壓管,用于嵌位 HVDD 電壓。芯片正常工作時,需要 HVDD 電流很低,無需輔助繞組供電,僅通過啟動電阻供電就能夠維持芯片自身耗電。

?恒流控制

芯片逐周期檢測流過電感的電流峰值,CS 端連接到內(nèi)部峰值限制電流的輸入端,與內(nèi)部 610mV 的閾值電壓進(jìn)行比較,當(dāng) CS 電壓達(dá)到內(nèi)部設(shè)定的檢測閾值時,功率管關(guān)斷。封裝形式:SOP8





電源管理芯片SM7581PA過壓保護(hù)電阻設(shè)置

開路保護(hù)電壓可以通過ROVP 引腳電阻來設(shè)置,ROVP 引腳輸出電流固定為 20uA。

當(dāng) LED 開路時,輸出電壓逐漸上升,消磁時間逐漸變短。因此可以根據(jù)需要設(shè)定的開路保護(hù)電壓,來計算消磁時間 TD。


高精度原邊反饋LED電源芯片SM7581PA系統(tǒng)方案設(shè)計應(yīng)用(圖4)


電源管理芯片SM7581PA 設(shè)置了系統(tǒng)的最大消磁時間,當(dāng) ROVP 端口外接電阻時,可以設(shè)定過壓保護(hù)時的消磁檢測時間。如果電感量很大時,工作消磁時間又可能大于芯片固有的最大消磁時間,系統(tǒng)就會進(jìn)入電感電流連續(xù)導(dǎo)通模式,輸出電流會背離設(shè)計值。


前沿消隱(LEB)

功率 MOSFET 每開啟一次,電流檢測電阻上就不可避免的產(chǎn)生一個尖峰電壓。為了避免此尖峰信號使控制器誤動作,芯片內(nèi)置了 380ns 的前沿消隱時間,在這段前沿消隱的時間內(nèi),GATE 輸出驅(qū)動也就不會關(guān)斷。

保護(hù)功能

SM7581PA 內(nèi)置多種保護(hù)功能,包括 LED 開/短路保護(hù),HVDD 欠壓保護(hù),芯片溫度過溫調(diào)節(jié)等。當(dāng) LED 短路時, 系統(tǒng)消磁時間為最大的消磁時間(330uS),由此系統(tǒng)工作在很低的頻率,輸入功耗很小;當(dāng)輸出 LED 開路時,系統(tǒng)觸發(fā)過壓保護(hù)功能并停止開關(guān)動作,HVDD 電壓開始下降,當(dāng) HVDD 電壓達(dá)到欠壓保護(hù)閾值時,系統(tǒng)將重新啟動。同時系統(tǒng)不斷檢測負(fù)載狀態(tài),如果故障排除,系統(tǒng)將重新開始正常工作。

過溫調(diào)節(jié)功能

SM7581PA 具有芯片過溫調(diào)節(jié)功能,在芯片過溫時,逐漸減小輸出電流,從而控制輸出功率和溫升,提高系統(tǒng)的可靠性;芯片內(nèi)部設(shè)定的過溫調(diào)節(jié)溫度點(diǎn)為 140°C。



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